Contents
第九章 DRAM初始化配置
DRAM的初始化，其实就是对cpu内部的DRAM控制器进行初始化，因为对外部DRAM的数据访问，是通过DRAM控制器来进行访问的。
而对DRAM控制器的初始化，其实就是初始化DRAM控制器的寄存器。其实这部分代码，官方会提供参考的代码，只需要基于官方参考的修改即可。
代码，请查看我的github网站：https://github.com/weiqi7777/s5pv210
1、设置ASYNC_CONFIG寄存器
该寄存器
作用：
目前不知道配置这个寄存器有什么用，不过试了下，不用配置这个寄存器也可以。
2、设置驱动强度
设置GPIO的驱动强度。
MP1_0DRV_SR_OFFSET = 0x3CC
就是设置MP1_0组端口GPIO的驱动强度。
将驱动强度都设置为2x。
MP1_1DRV_SR_OFFSET = 0x3EC
设置MP1_1组端口GPIO的驱动强度为2x
设置驱动强度的意义
手册的92页，有说明，对于DRAM1使用的是MP1_0 – 8 端口。对于DRAM2使用的是MP2_0 – 8 端口。所以对于这些端口需要设置下驱动强度。
不过测试下，把驱动强度设置为1x，也是可以工作的。不过，官方既然是设置了驱动强度时2x，那么就设置为2x好了。
S5PV210,将GPIO，分为了三个类型，A类型，B类型，C类型，每组类型的IO，用于不同的目的。
对于type C，用于DRAM的。驱动能力由下图所示。猜测DS0和DS1就是配置驱动强度寄存器每一个port的低位和高位。
DS0 = 0, DS1 = 1 ， 就表示驱动强度为2x。
设置驱动的目的，是为了和外部设备的兼容。比如外部的DRAM的芯片，驱动电流最小是6mA，那么连接DRAM芯片的端口的驱动电流，就不能低于6mA，因此DS0和DS1都不能设置为0，也就是驱动强度不能为1x。
设置MP1的其他组GPIO的驱动强度为2x。
以上的宏定义如下:
寄存器的作用和上面的一样。
不过经过测试，这些寄存器不用设置也是可以的，因为这些寄存器的复位默认值是0xAAAA。所以上诉代码是可以删掉的。
3、设置DLL
设置DLL的目的，是为了设置驱动给DRAM的时钟。
代码如下：
这里是210手册中规定的初始化顺序
PHY control0寄存器
-
需要操作PHY control0寄存器的ctrl_start_point和ctrl_inc这几位，而这几位要写入0x10。所以对这个寄存器的写入值是0x00101000
-
需要操作PHY control0寄存器的ctrl_dll_on这一位，要写入1，打开PHY DLL。所以对这个寄存器的写入值是0x00101002
-
操作PhyControl1寄存器的ctrl_shiftc和ctrl_offsetc位，这个和外部的DDR时序有关系，这里写入的值是0x00000086
-
设置PHY control0寄存器的ctrl_start位为1，这个是第0位。写入值是0x00101003。
以上的初始化时序和手册中的PHY DLL LOCK Procedure有关系（627页）
保持ctrl_dll_on一直为高，写入ctrl_start_point和ctrl_inc。等到DLL锁定后，ctrl_clock会为高，ctrl_flock也会为高，所以下一步就是判断锁定的时候就要判断ctrl_clock和ctrl_flock以及ctrl_lock信号是否都为1。
判断锁定后，就要将ctrl_lock_value读取，然后写入到ctrl_force中，就是之后的两步完成的事。
判断DLL是否锁定，通过读取PHY status寄存器判断。
判断PHY Status Register 寄存器的最低3位是否都为1。不是的话，就一直读取判断，直到DLL锁定
设置PHY control0寄存器的DLL force Delay
Ctrl_force的值是PHY Status Register寄存器的ctrl_lock_value[9:2]，读取PHY Status Register寄存器的值赋值给r1，然后取ctrl_lock_value[9:2]的值，其他位都清零。在将ctrl_inc 和ctrl_start_point的值给设置为0x10，ctrl_dll_on 和ctrl_start都设置为1，赋值给 PHY control0寄存器。
4、设置寄存器
按照初始化步骤
代码
对于concontrol寄存器，这个寄存器比较复杂，目前不清楚功能。
对于memctrol寄存器，这个寄存器比较重要，根据外部存储器设置。
根据数据手册，得知，突发长度设置为4，1个chip，32位数据，存储器类型为DDR2。
对于memconfig0寄存器，设置chip0的信息。这个要根据所用的存储器来确定。
设置下来，chip_base为0x20，chip_mask为0xf0，表示对于DRAM0的有效地址空间是0x2000_0000 – 0x27ff_ffff。使用线性映射，row地址14位，col地址10位。
因为没有接chip1，因此用不到chip1，所以memconfig1不用设置。
对于preconfig寄存器
对于pwrdnconfig寄存器。设置若n个周期后没有对DRAM操作，就进入自刷新和预充电休眠状态。
5、设置时序
以下设置的时序信息，就和外部的DRAM芯片时序有关的。这里的时序参数，一定要设置正确，和外部的DRAM芯片的时序匹配，否则DRAM控制器是不能正常的驱动外部的DRAM芯片的。
手册上，有说明设置时序的步骤：
代码
设置刷新时间，我们设置的系统mclk时钟为200M，所以设置的值为7.8 us * 200 = 1560(0x618)。
对于timingRow寄存器，关于行地址的时序
对于TimingData，设置数据的时序
对于TimingPower，设置存储器的电源模式
6、判断锁定
时序设置完毕后，需要判断DLL是否锁定，并要设置PhyControl0.ctrl_force。但是这个在之前的DLL锁定已经做了，而且实验，在之前判断锁定和在这里判断锁定，都是可以工作的。
7、发送命令
DRAM控制器设置完毕后，下面就要利用DRAM控制器，对外部的DRAM芯片进行初始化。
手册提供了初始化顺序，需要发送各种命令。
发送命令，通过控制DirectCmd寄存器，[24:24]表示发送的命令，[20]表示对DRAM的哪个chip进行操作进行操作。
代码
对于EMRS命令。Cmd_type部分是0x9。但是怎么区分MRS,EMSR1,EMSR2,EMSR3了。就要靠cmd_bank来确定
|
cmd_bank |
命令 |
|
000 |
MRS |
|
001 |
EMSR1 |
|
010 |
EMSR2 |
|
011 |
EMSR3 |
根据外接的DDR2的数据手册，可以看出EMRS命令是可以带参数的，参数就是由cmd_addr来决定的。
对于DDR2芯片来说，EMRS的格式都是
前面3个BA2,BA1,BA0是去确定哪一个命令。因为该DDR2芯片没有用到BA2，所以BA2的值要为0。
后面的A13-A0就是该命令对应的参数，在不同的命令下，该参数对应的功能也不一样。
对于MRS命令
在代码中，是如下写的，通过上表对应，可知，设置CL为4，BL为4。Mode为normal，DLL Reset为YES，对DLL进行复位。
不过在随后的代码，将A8置为0，取消复位。
对于EMSR1命令
A10为1，——DQS功能取消。
A10-A7都是为1。——DQS功能取消。 OCD calibration default * 4
A10为1，A9-A7为0。 OCD calibration mode exit。
对于EMRS2
高温下自刷新功能关闭，自刷新的阵列是全阵列。
EMRS3命令，目前在DDR2芯片中没有使用。要使用的话，参数要设置为全0.
8、初始化最后两步
最后两部，设置两个寄存器：
代码
对于CONCONTROL寄存器
通过以上的操作，就将DRAM控制器和外部的DRAM芯片进行初始化了，此时CPU就可以访问外部的DRAM芯片了。